STH3N150-2 MOSFET N-CH 1500V 6Ohm 2.5A PowerMESH
♠ Produktuaren deskribapena
| Produktuaren atributua | Atributuaren balioa |
| Fabrikatzailea: | STMicroelectronics |
| Produktu Kategoria: | MOSFET |
| RoHS: | Xehetasunak |
| Teknologia: | Si |
| Muntatzeko estiloa: | SMD/SMT |
| Paketea/Kaxa: | H2PAK-2 |
| Transistorearen polaritatea: | N kanala |
| Kanal kopurua: | 1 Kanala |
| Vds - Drain-iturburuaren matxura-tentsioa: | 1,5 kV |
| Id - Etengabeko drainatze-korrontea: | 2,5 A |
| Rds On - Drain-iturriaren erresistentzia: | 9 ohmio |
| Vgs - Ate-iturriaren tentsioa: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Ate-iturriaren atalase-tentsioa: | 3 V |
| Qg - Atearen karga: | 29,3 nC |
| Gutxieneko funtzionamendu-tenperatura: | - 55 C |
| Funtzionamendu-tenperatura maximoa: | + 150 C |
| Pd - Potentzia xahutzea: | 140 W |
| Kanal modua: | Hobekuntza |
| Izen komertziala: | PowerMESH |
| Paketatzea: | Bobina |
| Paketatzea: | Moztu Zinta |
| Paketatzea: | MouseReel |
| Marka: | STMicroelectronics |
| Konfigurazioa: | Bakarra |
| Udazkeneko ordua: | 61 ns |
| Aurrerako transkonduktantzia - Min.: | 2.6 S |
| Produktu mota: | MOSFET |
| Igoera denbora: | 47 ns |
| Seriea: | STH3N150-2 |
| Fabrikako paketearen kantitatea: | 1000 |
| Azpikategoria: | MOSFETak |
| Transistore mota: | 1 N-Channel Power MOSFET |
| Itzaltzeko atzerapen-denbora tipikoa: | 45 ns |
| Pizteko atzerapen-denbora tipikoa: | 24 ns |
| Unitatearen pisua: | 4 g |
♠ N kanaleko 1500 V, 2,5 A, 6 Ω tip., PowerMESH Power MOSFETak TO-3PF, H2PAK-2, TO-220 eta TO247 paketeetan
Potentzia MOSFET hauek STMicroelectronics banda-diseinuan oinarritutako MESH OVERLAY prozesuaren bidez diseinatu dira.Emaitza beste fabrikatzaile batzuen pieza estandar konparagarrien errendimendua parekatzen edo hobetzen duen produktua da.
• %100ean elur-jausi probatua
• Kapazitate intrintsekoak eta Qg minimizatuak
• Abiadura handiko kommutazioa
• TO-3PF plastikozko paketea guztiz isolatua, ihesaren distantzia 5,4 mm-koa da (tip.)
• Aplikazioak aldatzea
