BSS123 MOSFET SOT-23 N-CH LOGIKA
♠ Produktuaren deskribapena
| Produktuaren atributua | Atributuaren balioa |
| Fabrikatzailea: | onsemi |
| Produktu Kategoria: | MOSFET |
| Teknologia: | Si |
| Muntatzeko estiloa: | SMD/SMT |
| Paketea / Kasua: | SOT-23-3 |
| Transistorearen polaritatea: | N kanala |
| Kanal kopurua: | 1 Kanala |
| Vds - Drain-iturburuaren matxura-tentsioa: | 100 V |
| Id - Etengabeko drainatze-korrontea: | 170 mA |
| Rds On - Drain-iturriaren erresistentzia: | 6 ohmio |
| Vgs - Ate-iturriaren tentsioa: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Ate-iturriaren atalase-tentsioa: | 800 mV |
| Qg - Atearen karga: | 2,5 nC |
| Gutxieneko funtzionamendu-tenperatura: | - 55 C |
| Funtzionamendu-tenperatura maximoa: | + 150 C |
| Pd - Potentzia xahutzea: | 300 mW |
| Kanal modua: | Hobekuntza |
| Paketatzea: | Bobina |
| Paketatzea: | Moztu Zinta |
| Paketatzea: | MouseReel |
| Marka: | onsemi / Fairchild |
| Konfigurazioa: | Bakarra |
| Udazkeneko ordua: | 9 ns |
| Aurrerako transkonduktantzia - Min.: | 0,8 S |
| Altuera: | 1,2 mm |
| Luzera: | 2,9 mm |
| Produktua: | MOSFET Seinale Txikia |
| Produktu mota: | MOSFET |
| Igoera denbora: | 9 ns |
| Seriea: | BSS123 |
| Fabrikako paketearen kantitatea: | 3000 |
| Azpikategoria: | MOSFETak |
| Transistore mota: | 1 N kanala |
| Mota: | FET |
| Itzaltzeko atzerapen-denbora tipikoa: | 17 ns |
| Pizteko atzerapen-denbora tipikoa: | 1,7 ns |
| Zabalera: | 1,3 mm |
| Zatiaren # Ezizenak: | BSS123_NL |
| Unitatearen pisua: | 0,000282 oz |
♠ N-Channel Logiko-maila hobetzeko modua Eremu-efektuaren transistorea
N-Channel hobekuntza modua eremu efektuko transistore hauek onsemi-ren jabedun, zelula-dentsitate handiko, DMOS teknologia erabiliz ekoizten dira.Produktu hauek egoera-erresistentzia minimizatzeko diseinatu dira, aldatzeko errendimendu malkartsua, fidagarria eta azkarra eskaintzen duten bitartean.Produktu hauek bereziki egokiak dira tentsio baxuko, korronte baxuko aplikazioetarako, esate baterako, serbo motor txikien kontrola, potentzia MOSFET ate kontrolatzaileak eta beste konmutazio aplikazioetarako.
• 0,17 A, 100 V
♦ RDS (aktibatuta) = 6 @ VGS = 10 V
♦ RDS (aktibatuta) = 10 @ VGS = 4,5 V
• Dentsitate handiko zelulen diseinua RDS oso baxurako (aktibatuta)
• Malkartsua eta fidagarria
• Compact Industry Standard SOT−23 Gainazaleko Muntatzeko Paketea
• Gailu hau Pb-Free eta Halogenorik gabekoa da
