AUIRFN8459TR MOSFET 40V N kanal bikoitza HEXFET
♠ Produktuaren deskribapena
| Produktuaren atributua | Atributuaren balioa |
| Fabrikatzailea: | Infineon |
| Produktu Kategoria: | MOSFET |
| RoHS: | Xehetasunak |
| Teknologia: | Si |
| Muntatzeko estiloa: | SMD/SMT |
| Paketea / Kasua: | PQFN-8 |
| Transistorearen polaritatea: | N kanala |
| Kanal kopurua: | 2 Kanala |
| Vds - Drain-iturburuaren matxura-tentsioa: | 40 V |
| Id - Etengabeko drainatze-korrontea: | 70 A |
| Rds On - Drain-iturriaren erresistentzia: | 5,9 mOhms |
| Vgs - Ate-iturriaren tentsioa: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Ate-iturriaren atalase-tentsioa: | 3 V |
| Qg - Atearen karga: | 40 nC |
| Gutxieneko funtzionamendu-tenperatura: | - 55 C |
| Funtzionamendu-tenperatura maximoa: | + 175 C |
| Pd - Potentzia xahutzea: | 50 W |
| Kanal modua: | Hobekuntza |
| Titulazioa: | AEC-Q101 |
| Paketatzea: | Bobina |
| Paketatzea: | Moztu Zinta |
| Paketatzea: | MouseReel |
| Marka: | Infineon Teknologiak |
| Konfigurazioa: | Bikoitza |
| Udazkeneko ordua: | 42 ns |
| Aurrerako transkonduktantzia - Min.: | 66 S |
| Altuera: | 1,2 mm |
| Luzera: | 6 mm |
| Produktu mota: | MOSFET |
| Igoera denbora: | 55 ns |
| Fabrikako paketearen kantitatea: | 4000 |
| Azpikategoria: | MOSFETak |
| Transistore mota: | 2 N kanala |
| Itzaltzeko atzerapen-denbora tipikoa: | 25 ns |
| Pizteko atzerapen-denbora tipikoa: | 10 ns |
| Zabalera: | 5 mm |
| Zatiaren # Ezizenak: | AUIRFN8459TR SP001517406 |
| Unitatearen pisua: | 0,004308 oz |
♠ MOSFET 40V N kanal bikoitza HEXFET
Automobilgintzako aplikazioetarako bereziki diseinatua, HEXFET® Power MOSFET honek prozesatzeko teknika berrienak erabiltzen ditu silizio-eremu bakoitzeko erresistentzia oso baxua lortzeko.Diseinu honen ezaugarri gehigarriak 175 °C-ko bidegurutze-tenperatura funtzionamendu-tenperatura, swithing-abiadura azkarra eta elur-jausi errepikakorraren kalifikazio hobetua dira.Ezaugarri hauek konbinatzen dituzte produktu hau Automobilgintzan eta beste aplikazio ugaritan erabiltzeko gailu oso eraginkor eta fidagarria bilakatzeko.
Prozesu Teknologia Aurreratua
N kanaleko MOSFET bikoitza
On-erresistentzia ultra baxua
175°C funtzionamendu-tenperatura
Aldaketa azkarra
Elur-jausi errepikakorra Tjmax-era arte baimenduta
Berunik gabekoa, RoHS betetzen duena
Automobilgintzako Titulua *
12V Automozio Sistemak
Eskuiladun DC Motorra
Balaztatzea
Transmisioa
