NTJD4001NT1G MOSFET 30V 250mA N kanal bikoitza
♠ Produktuaren deskribapena
| Produktuaren atributua | Atributuaren balioa |
| Fabrikatzailea: | onsemi |
| Produktu Kategoria: | MOSFET |
| RoHS: | Xehetasunak |
| Teknologia: | Si |
| Muntatzeko estiloa: | SMD/SMT |
| Paketea / Kasua: | SC-88-6 |
| Transistorearen polaritatea: | N kanala |
| Kanal kopurua: | 2 Kanala |
| Vds - Drain-iturburuaren matxura-tentsioa: | 30 V |
| Id - Etengabeko drainatze-korrontea: | 250 mA |
| Rds On - Drain-iturriaren erresistentzia: | 1,5 ohmio |
| Vgs - Ate-iturriaren tentsioa: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Ate-iturriaren atalase-tentsioa: | 800 mV |
| Qg - Atearen karga: | 900 pC |
| Gutxieneko funtzionamendu-tenperatura: | - 55 C |
| Funtzionamendu-tenperatura maximoa: | + 150 C |
| Pd - Potentzia xahutzea: | 272 mW |
| Kanal modua: | Hobekuntza |
| Paketatzea: | Bobina |
| Paketatzea: | Moztu Zinta |
| Paketatzea: | MouseReel |
| Marka: | onsemi |
| Konfigurazioa: | Bikoitza |
| Udazkeneko ordua: | 82 ns |
| Aurrerako transkonduktantzia - Min.: | 80 mS |
| Altuera: | 0,9 mm |
| Luzera: | 2 mm |
| Produktua: | MOSFET Seinale Txikia |
| Produktu mota: | MOSFET |
| Igoera denbora: | 23 ns |
| Seriea: | NTJD4001N |
| Fabrikako paketearen kantitatea: | 3000 |
| Azpikategoria: | MOSFETak |
| Transistore mota: | 2 N kanala |
| Itzaltzeko atzerapen-denbora tipikoa: | 94 ns |
| Pizteko atzerapen-denbora tipikoa: | 17 ns |
| Zabalera: | 1,25 mm |
| Unitatearen pisua: | 0,010229 oz |
• Ate-karga baxua aldatzeko azkar egiteko
• Aztarna txikia − TSOP−6 baino % 30 txikiagoa
• ESD Babestutako Atea
• AEC Q101 sailkatua − NVTJD4001N
• Gailu hauek Pb-Freak dira eta RoHS betetzen dute
• Alboko karga baxuko etengailua
• Li-Ion bateria hornitutako gailuak − Telefono mugikorrak, PDAak, DSC
• Buck bihurgailuak
• Maila-aldaketak
