IPD50N04S4-08 MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2

Deskribapen laburra:

Fabrikatzaileak: Infineon
Produktuen Kategoria: MOSFET
Datu fitxa:IPD50N04S4-08
Deskribapena: MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
RoHS egoera: RoHS Compliant


Produktuaren xehetasuna

Ezaugarriak

Produktuen etiketak

♠ Produktuaren deskribapena

Produktuaren atributua Atributuaren balioa
Fabrikatzailea: Infineon
Produktu Kategoria: MOSFET
Teknologia: Si
Muntatzeko estiloa: SMD/SMT
Paketea / Kasua: TO-252-3
Transistorearen polaritatea: N kanala
Kanal kopurua: 1 Kanala
Vds - Drain-iturburuaren matxura-tentsioa: 40 V
Id - Etengabeko drainatze-korrontea: 50 A
Rds On - Drain-iturriaren erresistentzia: 7,2 mOhms
Vgs - Ate-iturriaren tentsioa: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Ate-iturriaren atalase-tentsioa: 2 V
Qg - Atearen karga: 22,4 nC
Gutxieneko funtzionamendu-tenperatura: - 55 C
Funtzionamendu-tenperatura maximoa: + 175 C
Pd - Potentzia xahutzea: 46 W
Kanal modua: Hobekuntza
Titulazioa: AEC-Q101
Izen komertziala: OptiMOS
Paketatzea: Bobina
Paketatzea: Moztu Zinta
Paketatzea: MouseReel
Marka: Infineon Teknologiak
Konfigurazioa: Bakarra
Udazkeneko ordua: 6 ns
Altuera: 2,3 mm
Luzera: 6,5 mm
Produktu mota: MOSFET
Igoera denbora: 7 ns
Seriea: OptiMOS-T2
Fabrikako paketearen kantitatea: 2500
Azpikategoria: MOSFETak
Transistore mota: 1 N kanala
Itzaltzeko atzerapen-denbora tipikoa: 5 ns
Pizteko atzerapen-denbora tipikoa: 5 ns
Zabalera: 6,22 mm
Zatiaren # Ezizenak: IPD5N4S48XT SP000711450 IPD50N04S408ATMA1
Unitatearen pisua: 0,011640 oz

  • Aurrekoa:
  • Hurrengoa:

  • • N-kanala – Hobekuntza modua
    • AEC kualifikatua
    • MSL1 260°C-ra arte
    • 175°C funtzionamendu-tenperatura
    • Produktu Berdea (RoHS betetzen duena)
    • % 100 Avalanche probatua

    Lotutako produktuak