IPD50N04S4-08 MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
♠ Produktuaren deskribapena
| Produktuaren atributua | Atributuaren balioa |
| Fabrikatzailea: | Infineon |
| Produktuaren kategoria: | MOSFET |
| Teknologia: | Si |
| Muntatzeko estiloa: | SMD/SMT |
| Paketea / Kutxa: | TO-252-3 |
| Transistorearen polaritatea: | N-kanala |
| Kanal kopurua: | 1 kanal |
| Vds - Hustubide-iturri haustura-tentsioa: | 40 V |
| Id - Drainatze-korronte jarraitua: | 50 A |
| Rds piztuta - Hustubide-iturri erresistentzia: | 7,2 mOhm |
| Vgs - Ate-iturri tentsioa: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Ate-iturriaren atalase-tentsioa: | 2 V |
| Qg - Atearen karga: | 22,4 nC |
| Gutxieneko funtzionamendu-tenperatura: | - 55 °C |
| Gehienezko funtzionamendu-tenperatura: | + 175 °C |
| Pd - Potentzia disipazioa: | 46 W |
| Kanal Modua: | Hobekuntza |
| Titulazioa: | AEC-Q101 |
| Izen komertziala: | OptiMOS |
| Ontziratzea: | Bobina |
| Ontziratzea: | Zinta moztu |
| Ontziratzea: | Sagu-bobina |
| Marka: | Infineon Teknologiak |
| Konfigurazioa: | Bakarra |
| Udazkeneko garaia: | 6 ns |
| Altuera: | 2,3 mm |
| Luzera: | 6,5 mm |
| Produktu mota: | MOSFET |
| Igoera denbora: | 7 ns |
| Seriea: | OptiMOS-T2 |
| Fabrika pakete kantitatea: | 2500 |
| Azpikategoria: | MOSFETak |
| Transistore mota: | 1 N-kanala |
| Ohiko itzaltze-atzerapen denbora: | 5 ns |
| Pizteko atzerapen-denbora tipikoa: | 5 ns |
| Zabalera: | 6,22 mm |
| Zati zenbakiko ezizenak: | IPD5N4S48XT SP000711450 IPD50N04S408ATMA1 |
| Unitateko pisua: | 0,011640 ontza |
• N kanala – Hobekuntza modua
• AEC kalifikatua
• MSL1 260 °C-ko birfluxu maximoa arte
• 175 °C-ko funtzionamendu-tenperatura
• Produktu Berdea (RoHS araudia betetzen du)
• %100ean elur-jausien aurkako proba
