AUIRFN8459TR MOSFET 40V Bikoitzeko N Kanal HEXFET
♠ Produktuaren deskribapena
| Produktuaren atributua | Atributuaren balioa |
| Fabrikatzailea: | Infineon |
| Produktuaren kategoria: | MOSFET |
| RoHS: | Xehetasunak |
| Teknologia: | Si |
| Muntatzeko estiloa: | SMD/SMT |
| Paketea / Kutxa: | PQFN-8 |
| Transistorearen polaritatea: | N-kanala |
| Kanal kopurua: | 2 kanal |
| Vds - Hustubide-iturri haustura-tentsioa: | 40 V |
| Id - Drainatze-korronte jarraitua: | 70 A |
| Rds piztuta - Hustubide-iturri erresistentzia: | 5,9 mOhm |
| Vgs - Ate-iturri tentsioa: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Ate-iturriaren atalase-tentsioa: | 3 V |
| Qg - Atearen karga: | 40 nC |
| Gutxieneko funtzionamendu-tenperatura: | - 55 °C |
| Gehienezko funtzionamendu-tenperatura: | + 175 °C |
| Pd - Potentzia disipazioa: | 50 W |
| Kanal Modua: | Hobekuntza |
| Titulazioa: | AEC-Q101 |
| Ontziratzea: | Bobina |
| Ontziratzea: | Zinta moztu |
| Ontziratzea: | Sagu-bobina |
| Marka: | Infineon Teknologiak |
| Konfigurazioa: | Bikoitza |
| Udazkeneko garaia: | 42 ns |
| Aurrerako transkonduktantzia - Min: | 66 S |
| Altuera: | 1,2 mm |
| Luzera: | 6 mm |
| Produktu mota: | MOSFET |
| Igoera denbora: | 55 ns |
| Fabrika pakete kantitatea: | 4000 |
| Azpikategoria: | MOSFETak |
| Transistore mota: | 2 N-kanal |
| Ohiko itzaltze-atzerapen denbora: | 25 ns |
| Pizteko atzerapen-denbora tipikoa: | 10 ns |
| Zabalera: | 5 mm |
| Zati zenbakiko ezizenak: | AUIRFN8459TR SP001517406 |
| Unitateko pisua: | 0,004308 ontza |
♠ MOSFET 40V Bikoitzeko N Kanal HEXFET
Bereziki automobilgintzako aplikazioetarako diseinatua, HEXFET® Power MOSFET honek azken prozesatzeko teknikak erabiltzen ditu silizio-eremu bakoitzeko erresistentzia oso baxua lortzeko. Diseinu honen beste ezaugarri batzuk 175 °C-ko juntura-funtzionamendu-tenperatura, kommutazio-abiadura azkarra eta elur-jausi errepikakorren aurkako hobekuntza dira. Ezaugarri hauek konbinatuta, produktu hau automobilgintzan eta beste hainbat aplikaziotan erabiltzeko gailu oso eraginkorra eta fidagarria bihurtzen dute.
Prozesu Teknologia Aurreratua
N kanal bikoitzeko MOSFET
Erresistentzia ultra-baxua
175 °C-ko funtzionamendu-tenperatura
Aldaketa azkarra
Elur-jausi errepikakorrak Tjmax-era arte baimenduta
Berunik gabe, RoHS betetzen du
Automobilgintzako Gaitasuna *
12V-ko automobilgintza sistemak
Eskuiladun korronte zuzeneko motorra
Balaztatzea.
Transmisioa.
