SUD50P10-43L-E3 MOSFET 100V 37A 136W 43mohm 10V
♠ Produktuaren deskribapena
Produktuaren atributua | Atributuaren balioa |
Fabrikatzailea: | Vishay |
Produktuaren kategoria: | MOSFET |
RoHS: | Xehetasunak |
Teknologia: | Si |
Muntatzeko estiloa: | SMD/SMT |
Paketea / Kutxa: | TO-252-3 |
Transistorearen polaritatea: | P-kanala |
Kanal kopurua: | 1 kanal |
Vds - Hustubide-iturri haustura-tentsioa: | 100 V |
Id - Drainatze-korronte jarraitua: | 37.1 A |
Rds piztuta - Hustubide-iturri erresistentzia: | 43 mOhm |
Vgs - Ate-iturri tentsioa: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Ate-iturriaren atalase-tentsioa: | 1 V |
Qg - Atearen karga: | 106 nC |
Gutxieneko funtzionamendu-tenperatura: | - 55 °C |
Gehienezko funtzionamendu-tenperatura: | + 175 °C |
Pd - Potentzia disipazioa: | 136 W |
Kanal Modua: | Hobekuntza |
Izen komertziala: | TrenchFET |
Ontziratzea: | Bobina |
Ontziratzea: | Zinta moztu |
Ontziratzea: | Sagu-bobina |
Marka: | Vishay erdieroaleak |
Konfigurazioa: | Bakarra |
Udazkeneko garaia: | 100 ns |
Aurrerako transkonduktantzia - Min: | 38 S |
Altuera: | 2,38 mm |
Luzera: | 6,73 mm |
Produktu mota: | MOSFET |
Igoera denbora: | 20 ns, 160 ns |
Seriea: | HEGOALDEA |
Fabrika pakete kantitatea: | 2000 |
Azpikategoria: | MOSFETak |
Transistore mota: | 1 P kanala |
Ohiko itzaltze-atzerapen denbora: | 100 ns, 110 ns |
Pizteko atzerapen-denbora tipikoa: | 15 ns, 42 ns |
Zabalera: | 6,22 mm |
Zati zenbakiko ezizenak: | SUD50P10-43L-BE3 |
Unitateko pisua: | 0,011640 ontza |
• TrenchFET® potentzia MOSFET
• 2002/95/EE RoHS Zuzentarauarekin bat dator